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晶盛机电突破第三代半导体代表材料“卡脖子”技术 碳化硅研发迈入“8”时代

日期:2023-12-19来源:绍兴柯岩作者:绍兴文理学院元培学院

8英寸碳化硅衬底片已达成批量生产交付的能力,我们可以满足不同客户的要求。”12月13日至15日,在2023日本东京半导体展上,浙江晶盛机电股份有限公司首次对外展示高品质8英寸碳化硅衬底片和8英寸外延生长设备,引起了参会行业专家、客户的浓厚兴趣。

  相较于今年2月晶盛机电发布推出的6英寸双片式外延设备,这次发布的8英寸碳化硅外延设备可兼容6英寸、8英寸碳化硅外延生产,能提供更先进的技术支持。

  就在上个月,总投资达21.2亿元的晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式启动,按下了布局碳化硅赛道的加速键。

  晶盛机电创立于2006年,起步就是高端制造。这些年来围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料国产替代,研发出了一系列半导体装备国产化关键设备。

  近日,晶盛机电旗下位于杭州湾上虞经开区的浙江晶瑞电子材料有限公司净化车间内,6-8英寸导电型碳化硅晶片在自动生产线上正加速量产。公司副总经理杨水淼告诉记者说,目前公司生产计划已满排到2024年底。

  “作为第三代半导体材料的碳化硅,能轻松驾驭如今的高电压、大电流新应用,普遍应用于电动汽车等行业,这一特性是传统的硅材料芯片所无法比拟的。以前碳化硅材料技术被欧美企业垄断。”杨水淼说,碳化硅作为第三代半导体代表材料,在全球能源转型和“双碳”目标的背景下,新能源汽车、光伏储能、智能电网、特高压、航空航天等新兴产业快速发展,全球市场需求激增,它也被国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要列为重要发展方向。

  晶瑞电子材料有限公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发,得益于强大的技术沉淀,2018年,公司研发出首台碳化硅单晶炉,并迅速进入材料的研发和生产阶段。

  但破冰之举来之不易。人工合成碳化硅,是将碳粉与硅粉通过化学气相沉积(CVD)的方式缓慢生长而成。碳化硅高硬度、高强度、高耐磨、高耐腐蚀等特性,对生产工艺有极其苛刻的要求,尤其是大尺寸的碳化硅晶体制备,一直是行业的“卡脖子”技术。

  去年8月,经过技术攻关,第一颗8英寸N型碳化硅晶体出炉,企业第三代半导体材料碳化硅研发自此迈入8英寸时代。目前,晶瑞电子材料已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、研磨、抛光量产线,并且已解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。6英寸衬底片已通过多家下游企业验证,正处于快速上量阶段,8英寸衬底片已处于小批量试制和下游企业验证阶段。

  “下阶段,争取8英寸衬底片迅速通过客户端验证,实现批量交付。”杨水淼说,公司把每项技术、每个设备都做到极致,只做最好的,做到行业最高端。

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